Литограф Crestec CABL-9000C

Производитель: Crestec
CABL-9000C электроннолучевой литограф R&D высокого класса для создания структур и топологий микро и нанорамеров

Все литографы компании Crestec

  • Удобный и простой интерфейс. Возможность управления сразу несколькими пользователями.
  • Оперцаионная система Windows OS, программное обеспечение для файлов формата GDSII & DXF CAD
  • Точечный луч
  • TFE излучатель
  • Ширина линии <2 нм с 50kV ускоряющего напряжения
  • Высокая точность сшивки и совмещения
  • Стабильность тока и позиционирования луча
  • Регулирование модуляции размера поля (запатентовано) -разрешение позиционирования 0.0012нм
  • Chirped GRT
  • Осесимметричный метод записи
  • Термальный контроллер
Ultra thin line
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec
  5.6nm line example

 

Line & Space

 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec   Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec
   Minimum 40nm pitch 20nm Line & space

 

Dot patterns/HDD bit patterned media
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec   Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec
   Minimum10nmφ

 

 3D processing/Microlenses/Blazed Grating
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

Осесимметричный метод нанесения рисунка / экспериментальный рисунок профилированной 
среды жёсткого диска,
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec
  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

 DFB лазер
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

Next Generation 3gate MOS FET

 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

 Трёхмерная голография
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

  Wave Guide
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec  Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec

 

  Photonic Crystal
 Система электронно-лучевой литографии высокого разрешения CABL-9000 Crestec 

 


  • Gun/Acceleration Voltage TFE(ZrO/W)/5-50kV
  • Beam size/min. width 2.0nm/10nm
  • Scanning method Vector scan(X,Y), Vector scan(r,theta) standard
  • Raster scan, spot scan(option) Field size modulation, Axial symmetrical pattern, RAM DAC digital spot writing, 3D writing method
  • Field size 30umx30um,60umx60um,120umx120um,300umx300um, 600umx600um(standard)
  • 1200umx1200um,2400umx2400um(option)
  • Pixel 20,000x20,000dot,60,000x60,000dot@vector scan(standard)240,000x240,000dot@vector scan(option)4,000x4,000dot,4,000x4,000dot,10,000x10,000dot@raster scan(option)
  • Min. address size 10nm@600umx600um field,2nm@120umx120um field(standard)
  • 0.0012nm@500umx500um field(option)
  • Scan rate/
  • Resolution Vector scan(Analog): 0.05-300uS/0.01us(standard)
  • Vector scan(Digital): 0.2-300uS/0.1us(standard)
  • Raster scan: 0.3-300uS/0.1us(Option)
  • Wafer size 4,6,8inchΦ(other size, other shape is OK)
  • Stitching accuracy 50nm(3sigma)@500umx500um,
  • 20nm(2sigma)@50umx50um
  • Overlay accuracy 50nm(3sigma)@500umx500um, 20nm(2sigma)@50umx50um
  • CAD software original CAD(standard),GDSⅡconversion(option), DXF conversion(option)
  • OS Windows2000, XP