Растровый электронный микроскоп SEC SNE-4500
Характеристики
Тип
Электронный
Область применения
Материаловедение, Электронная микроскопия
Специализация
Сканирующий
Все характеристики
Цена по запросу
Оставить заявку
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Растровый электронный микроскоп SEC SNE-4500Plus это компактная настольная установка, сканирующая токопроводящие материалы с разрешением 5 нм, погрешностью 4 nm и вмещающая образцы до 80 мм в диаметре.
Подробнее
Описание
Максимальное увеличение прибора составляет 150 000×, а наиболее напряжение 30 кВ. Доступны режимы низкого и стандартного вакуума. Устанавливаются детекторы SE и BSE, EDS приставка (энергодесперсионный спектрометр).
Растровым микроскоп называется, потому что сканирует, сфокусированным пучком, поверхность различных вещей и собирает образ на основании информации от воздействия вторичных и обратно-отражённых электронов. Качество такой съёмки напрямую зависит от катода, уровня вакуума, напряжения, стабильности сети, вибрации, напыления и все эти составляющие учитывались инженерами при проектировании 4500Plus, чтобы получить идеально сбалансированное решение по соотношению цена-надёжность-возможности.
Считывают информацию о взаимодействии электронов с целью специальные волноуловитель SE или BSE (обратно-отр. e). В первом случае регистрируется топографический контраст, что очень напоминает картинку при световой микроскопии через телецентрические объективы с бесконечно большой глубиной резкости. Сформированная картина лишена перспективы, а значит и искажений, с ней связанных. Интенсивность зависит от атомного номера и наклона поверхности, поэтому, даже не используя особенный EDS модуль можно вынести некоторые выводы о химическом составе и рельефе.
Обратно рассеянные e имеют гораздо большую энергию (10-20 кэВ), чем вторичные (<50 эВ), что обуславливает их более глубокое проникновение (до нескольких нанометров), из-за чего меньше точность. С их помощью оценивают ориентационный и композиционный контраст, необходимые для исследования особо рельефных объектов. BSE часто используются в аналитическом SEM, потому что интенсивность сигнала, длина волны этих характерных рентгеновских лучей, тесно связана с атомным числом эл. Это предоставляет информацию о распределении, но не о конкретных элементах.



Никаких лишних элементов, нет перегруженности, цифрами мы отметили основные шаги:
1. Установите ток, порядок сканирования и разрежения
2. Перейдите к образцу с помощью управления движением платформы
3. Установите увеличение и настройте фокус
4. Отрегулируйте контрастность и яркость
5. Выберите режим сканирования и сохраните баланс между высокой детализацией м изображения и скоростью его получения
Это всё, что нужно знать об управлении. Остальное сделает техника. Минимум усилий – максимум результативности.
Растровым микроскоп называется, потому что сканирует, сфокусированным пучком, поверхность различных вещей и собирает образ на основании информации от воздействия вторичных и обратно-отражённых электронов. Качество такой съёмки напрямую зависит от катода, уровня вакуума, напряжения, стабильности сети, вибрации, напыления и все эти составляющие учитывались инженерами при проектировании 4500Plus, чтобы получить идеально сбалансированное решение по соотношению цена-надёжность-возможности.
Сканирующий электронный микроскоп
Вмещает предметы до 60-80 мм, которые крепятся на углеродный или алюминиевый скотч к наклоняемому полностью моторизованному предметному столику. Особенность заключается в том, что он наклоняется от -45° до 90°, а движение в горизонтальной и вертикальной плоскости от центральной позиции осуществляется на 40 мм. Перемещение пробы в камере обеспечивают высокоточные двигатели с энкодерами 5 нм, а для удобства навигации за ним можно наблюдать на экране монитора. Интегрированная цветная цифровой CCD сенсор высокого разрешения транслирует онлайн поток на экран и отмечает на только центральную точку наведения филамента, но и область сканирования красным прямоугольником в окне программы.Принцип работы
Основным источником электронов в растровом микроскопе служит пушка мощностью от 1 до 30 kV с шестью промежуточными предустановками работы 5/ 10/ 15/ 20/ 30, подающая пучок через картридж с предварительно центрированной вольфрамовой нитью. Такая конструкция избавляет от необходимости постоянной центровки катода, после замены, что значительно экономит средства и время лаборатории. Чтобы формировать луч определённого диаметра в конструкции предусмотрена апертурная диафрагма, регулируемая на 30, 50, 50, 100 мкм.Считывают информацию о взаимодействии электронов с целью специальные волноуловитель SE или BSE (обратно-отр. e). В первом случае регистрируется топографический контраст, что очень напоминает картинку при световой микроскопии через телецентрические объективы с бесконечно большой глубиной резкости. Сформированная картина лишена перспективы, а значит и искажений, с ней связанных. Интенсивность зависит от атомного номера и наклона поверхности, поэтому, даже не используя особенный EDS модуль можно вынести некоторые выводы о химическом составе и рельефе.
Обратно рассеянные e имеют гораздо большую энергию (10-20 кэВ), чем вторичные (<50 эВ), что обуславливает их более глубокое проникновение (до нескольких нанометров), из-за чего меньше точность. С их помощью оценивают ориентационный и композиционный контраст, необходимые для исследования особо рельефных объектов. BSE часто используются в аналитическом SEM, потому что интенсивность сигнала, длина волны этих характерных рентгеновских лучей, тесно связана с атомным числом эл. Это предоставляет информацию о распределении, но не о конкретных элементах.
Скорость работы
Значительно ускоряет начало работы встроенный мощный насос, удаляющий воздух из камеры за считанные секунды. За прогрессом откачки можно наблюдать, глядя на движение индикационной светодиодной полоски на фронтальной панели, а об окончании уведомит звуковой сигнал. Это очень удобно, не обязательно ждать начала работы перед прибором. Насосная установка поддерживает остаточное давление до 10-2 Па при высоком вакууме и от 1 до 100 Па при низком, для наблюдения объектов, плохо проводящих ток.Химический анализ
Встроенный энергодесперсионный рентгеновский спектрометр EDS определяет элементы с B (5) Бора по Am (95) Америциум на площади 30 мм2. Пропускная способность рентгеновских лучей >150,000 cps, кремниевый SDD (Silicon Drift Detector). Великолепные технические данные этого модуля дополняет удобный и самый функциональный софт, который автоматически готовит отчёт, в виде графика с процентным распределением, таблицы с результатами и серией снимков с картой закономерности. Последняя функция самая интересная, потому что ПО само предлагает математические модели нахождения хим состава в пробе, графически это отображая на снимке.
Интерфейс
UI дизайнеры постарались адаптировать интерфейс, чтобы человек не имеющий специальной подготовки смог получить растровое изображение. Посмотрите сами:

Никаких лишних элементов, нет перегруженности, цифрами мы отметили основные шаги:
1. Установите ток, порядок сканирования и разрежения
2. Перейдите к образцу с помощью управления движением платформы
3. Установите увеличение и настройте фокус
4. Отрегулируйте контрастность и яркость
5. Выберите режим сканирования и сохраните баланс между высокой детализацией м изображения и скоростью его получения
Это всё, что нужно знать об управлении. Остальное сделает техника. Минимум усилий – максимум результативности.
Дополнительно
Тип | РЭМ |
Исполнение | настольное |
Увеличение | до 150 000х |
Разрешающая способность | 5 нм |
Детекторы | SE/BSE |
Вакуум | высокий/низкий |
Предметный столик | полностью моторизованный движение, поворот и наклон по осям X, Y, R, Z, T |
Максимальный размер образца | 80 мм (диаметр) 50 мм (высота) |
Встроенная видеокамера для навигации | есть |
Тип диафрагмы | регулируемая 30 мкм 50 мкм 100 мкм |
Электронная пушка с катодом | картридж с прецентрированным вольфрамовым филаментов |
Ускоряющее напряжений | от 1 кВ до 30 кВ 1/5/10/15/20/30 – 6 позиций |
Подготовка к сканированию | 2 минуты |
Программное обеспечение | полностью на русском языке |
Безопасность | защита от статического электричества датчик утечки тока датчик вакуума система защиты образца от повреждений система самодиагностики |
Задать вопрос
Обратная связь
Характеристики
Тип
|
Электронный |
Область применения
|
Материаловедение, Электронная микроскопия |
Специализация
|
Сканирующий |
Объект исследования
|
Геология +, Металлы / материалы, Микроэлектроника |