Литограф CABL-UH110

Производитель: Crestec
Электроннолучевой литограф 110 кВ для R&D и серийного производства для рисования топологии субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств
Термоэмиссионное поле до 110 кВ.
Литограф для R&D и серийного производства. Выполняет отрисовку субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств.

Литограф имеет полное инженерное обеспечение и контроль внутренних параметров системы – 2-х зонный модуль контроля и поддержания стабильной рабочей температуры с  системой  кондиционирования, модуль источника бесперебойного питания, 2-х уровневый активный антивибрационный стол, автоматический модуль загрузки образцов, высокоточный X-Y-Z сканирующий стол с активной системой автофокуса и контроля положения.

Обеспечивает просмотр топологии в режиме СЭМ.

Электронная оптическая система обеспечивает работу в большом диапазоне ускоряющих напряжений

Компьютерная система управления электронно-оптической системой литографа (EOS), стабильная электронная пушка и большой набор специальных программных продуктов обеспечивают полную гарантию Пользователю в изготовлении ультратонких структур для приложений нового поколения оптико-коммуникационных устройств, МЭМС/НЭМС, датчиков в областях  микроэлектроники, оптоэлектроники и нанотехнологий.


Все литографы компании Crestec


Gun/Acceleration Voltage TFE(ZrO/W emitter) - 25-110kV (5 kV step)
Beam size/min. width - 1,7nm
Exposure Area: - 125mm x 125mm or 150mm.dia.
Scanning method  Vector scan(X,Y), Vector scan(r,theta) standard
  Raster scan, spot scan(option) Field size modulation, Axial symmetrical pattern, RAM DAC digital spot writing, 3D writing method
Min. address size  0.0012nm (with Field Size Mod. Option)
Scan rate, dot.:  
Vector Scanning: - 20000 x 20000       
(Four methods selectable) - 60000 x 60000
(20bit DAC) - 240000 x 240000
  - 960000 x 960000
Raster Scanning Option:  
(Selectable) (14bit DAC) - 10000 x 10000
Scanning Rate:  
Vector Scanning - Time Resolution
(Analog Scanning): - 0.01 micro sec/pixel
(Digital Scanning): - 0.05 micro sec/pixel
Stitching Accuracy: - 35nm   (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field)
  - 20nm (Mean+2sigma, 60 micrometer .sq field)
Overlay Accuracy:

- 40nm   (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field)

Workpiece Sizes: - Snatches, 50, 100, 150 dia. Wafer
  4, 5, inch square Mask Blank Option

                 

  • CAD software original CAD(standard), GDSⅡconversion(option),
  • DXFC-01 conversion(option), proximity effect CPEC-01
  • OS Windows XP