Литограф CABL-UH110
Производитель: Crestec
Электроннолучевой литограф 110 кВ для R&D и серийного производства для рисования топологии субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств
Термоэмиссионное поле до 110 кВ.
Литограф для R&D и серийного производства. Выполняет отрисовку субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств.
Литограф имеет полное инженерное обеспечение и контроль внутренних параметров системы – 2-х зонный модуль контроля и поддержания стабильной рабочей температуры с системой кондиционирования, модуль источника бесперебойного питания, 2-х уровневый активный антивибрационный стол, автоматический модуль загрузки образцов, высокоточный X-Y-Z сканирующий стол с активной системой автофокуса и контроля положения.
Обеспечивает просмотр топологии в режиме СЭМ.
Литограф для R&D и серийного производства. Выполняет отрисовку субмикронной и наноразмерной топологии полупроводниковых устройств.
Литограф имеет полное инженерное обеспечение и контроль внутренних параметров системы – 2-х зонный модуль контроля и поддержания стабильной рабочей температуры с системой кондиционирования, модуль источника бесперебойного питания, 2-х уровневый активный антивибрационный стол, автоматический модуль загрузки образцов, высокоточный X-Y-Z сканирующий стол с активной системой автофокуса и контроля положения.
Обеспечивает просмотр топологии в режиме СЭМ.
Электронная оптическая система обеспечивает работу в большом диапазоне ускоряющих напряжений
Компьютерная система управления электронно-оптической системой литографа (EOS), стабильная электронная пушка и большой набор специальных программных продуктов обеспечивают полную гарантию Пользователю в изготовлении ультратонких структур для приложений нового поколения оптико-коммуникационных устройств, МЭМС/НЭМС, датчиков в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и нанотехнологий.
Все литографы компании Crestec
| Gun/Acceleration Voltage TFE（ZrO/W emitter） | - 25-110kV (5 kV step) |
| Beam size/min. width | - 1,7nm |
| Exposure Area: | - 125mm x 125mm or 150mm.dia. |
| Scanning method | Vector scan(X,Y), Vector scan(r,theta) standard |
| Raster scan, spot scan(option) Field size modulation, Axial symmetrical pattern, RAM DAC digital spot writing, 3D writing method | |
| Min. address size | 0.0012nm (with Field Size Mod. Option) |
| Scan rate, dot.: | |
| Vector Scanning: | - 20000 x 20000 |
| (Four methods selectable) | - 60000 x 60000 |
| (20bit DAC) | - 240000 x 240000 |
| - 960000 x 960000 | |
| Raster Scanning Option: | |
| (Selectable) (14bit DAC) | - 10000 x 10000 |
| Scanning Rate: | |
| Vector Scanning | - Time Resolution |
| (Analog Scanning): | - 0.01 micro sec/pixel |
| (Digital Scanning): | - 0.05 micro sec/pixel |
| Stitching Accuracy: | - 35nm (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field) |
| - 20nm (Mean+2sigma, 60 micrometer .sq field) | |
| Overlay Accuracy: |
- 40nm (Mean+3sigma, 120 micrometer .sq field) |
| Workpiece Sizes: | - Snatches, 50, 100, 150 dia. Wafer |
| 4, 5, inch square Mask Blank Option |
- CAD software original CAD(standard), GDSⅡconversion(option),
- DXFC-01 conversion(option), proximity effect CPEC-01
- OS Windows XP